ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА
Цель работы
1. Изучение механизма униполярной проводимости полупроводникового диода, исследование зависимости силы тока от напряжения и направления электрического поля.
2. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода при различных температурах.
3. Исследование зависимости силы тока от природы полупроводников, из которых выполнен диод.
Приборы и принадлежности
1. Установка для снятия вольтамперных характеристик.
2. Полупроводниковые диоды.
3. Термостат.
4. Источник тока.
Описание установки и метода измерений
Электрическая схема установки приведена на рис.8.4. При снятии вольтамперной характеристики диода Д в прямом направлении он посредством ключей K1 — K5, замкнутых на контакты 1 , подключается через потенциометр к микроамперметру, зашунтированному сопротивлением R1. Благодаря шунту расширяется диапазон измерения тока до миллиампер. Напряжение на диоде измеряется вольтметром . Для уменьшения напряжения, подаваемого на диод, к потенциометру П подключается сопротивление R0.
При снятии вольтамперной характеристики в обратном направлении диод посредством ключей К1 — К5 замкнутых на контакты 2, подключается через потенциометр к микроамперметру. Напряжение на диоде измеряется вольтметром, к которому в данном случае подключается добавочное сопротивление R2 и предел измерения напряжения увеличивается.
