💯 Электроника [Тема 1-11] — ответы на тесты Синергия / МОИ / МТИ / МосАП

Электроника > Тест 1 / Тест 2 / Тест 3 / Тест 4 / Тест 5 / Тест 6 / Тест 7 / Тест 8 / Тест 9 / Тест 10 / Тест 11 / Итоговый тест / Компетентностный тест

• правильные ответы на вопросы из тестов по данной дисциплине
• вопросы отсортированы в лексикографическом порядке

Электроника

• Введение в курс
• Тема 1. Введение в электронику
• Тема 2. Силовые полупроводниковые диоды
• Тема 3. Силовые биполярные транзисторы
• Тема 4. Силовые полевые транзисторы
• Тема 5. Силовые приборы на основе многослойных p-n-переходов
• Тема 6. Силовые полупроводниковые комбинированные приборы
• Тема 7. Системы управления силовыми электронными аппаратами
• Тема 8. Формирователи импульсов управления
• Тема 9. Управление силовыми электронными ключами
• Тема 10. Методы и средства защиты силовых полупроводниковых ключей
• Тема 11. Применение мощных полупроводниковых ключей в силовых схемах
• Заключение
• Итоговая аттестация

… – это вид полевого транзистора, характеризующийся положительным смещением затвора

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Биполярный транзистор
• P-канальный
• N-канальный

… — отрасль науки и техники, связанная с исследованиями, разработкой, изготовлением и применением электронных, ионных и полупроводниковых устройств

Тип ответа: Текcтовый ответ

… — прибор, который чаще всего используется в системе преобразования частоты

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Диод
• Транзистор
• Резистор

… — это прибор, представляющий собой монокристалл полупроводника, в котором созданы четыре чередующиеся области с различным типом проводимости https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0001-0005-000000038773/01.jpg 

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Биполярный транзистор
• Динистор
• Резистор

… — это самый простой полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n-перехода

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Полупроводниковый диод
• Полупроводниковый резистор
• Транзистор
• Полупроводниковый конденсатор

… биполярного транзистора — это одна из крайних областей транзистора, предназначенная для инжекции (впрыскивания) неосновных носителей заряда в область базы

Тип ответа: Текcтовый ответ

… диоды — это диоды, использующие для преобразования переменного тока в постоянный

Тип ответа: Текcтовый ответ

… может генерировать формирователь импульсов

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Аналоговый сигнал
• Цифровой сигнал
• Синусоидальный сигнал

… обычно используется для уменьшения скачков напряжения при включении транзистора

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Резистор
• Конденсатор
• Диод

… переход — это переход между базой и коллектором

Тип ответа: Текcтовый ответ

… позволяют адаптировать параметры работы в реальном времени

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Пассивные схемы
• Интеллектуальные схемы
• Линейные схемы

… помогает снизить уровень шумов на выходе силовых ключей?

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Дроссель
• Короткое замыкание
• Конденсатор

… тип формирователей импульсов управляет длительностью импульсов на основе входного сигнала

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Гребенчатый
• Широтно-импульсная модуляция
• Носимый

… транзистор — это полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами, имеющий три электрода

Тип ответа: Текcтовый ответ

… формирователя импульсов определяет ширину импульса

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Частота
• Длительность импульса
• Напряжение

Автоматический выключатель одноразового действия, который отключает источник питания при возникновении неисправности, называют … предохранителем

Тип ответа: Текcтовый ответ

Активной защитой силовых полупроводниковых ключей является …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• тепловая защита
• использование предохранителей
• электронное управление

Биполярный транзистор с … затвором — это полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура

Тип ответа: Текcтовый ответ

Биполярный транзистор со … индукцией — это нормально закрытый транзистор со статической индукцией с вертикальным каналом, управляемый током и имеющий входные и выходные характеристики похожие на характеристики обычного биполярного транзистора

Тип ответа: Текcтовый ответ

Блок … — это блок, содержащий датчики регулируемых и контролируемых параметров, а сигналы с этих датчиков поступают на регулятор, в функции которого входит формирование закона управления элементами силовой части

Тип ответа: Текcтовый ответ

Блок … источников питания обеспечивает энергией собственные нужды системы, адаптируя напряжение силовых цепей для питания элементов управления

Тип ответа: Текcтовый ответ

Блок формирователей … управления — это блок, который компонует необходимые по форме, амплитуде и длительности импульсы управления, которые поступают на силовые элементы

Тип ответа: Текcтовый ответ

В 1960-х годах произошло важное событие в истории электроники — были созданы устройства, которые стали основой для дальнейшего развития этой области.  Какое событие связано с этим периодом?

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• В этот период изобрели микропроцессор.
• В этот период создали первую микросхему.
• В этот период первый раз использовали транзистор.

В зависимости от конструкции и технологии изготовления выделяют … диоды

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• выпрямительные и импульсные
• плоскостные и точечные
• опорные и туннельные

В интеллектуальных силовых интегральных схемах часто используется … напряжение

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• переменное
• постоянное
• импульсное

В одном электронном устройстве датчик температуры генерирует сигнал с напряжением 0,5 В при температуре 20 °C и 4 В при температуре 100 °C.  Определите коэффициент чувствительности этого датчика (мВ/°C)?

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Коэффициент чувствительности этого датчика 50 мВ/°C.
• Коэффициент чувствительности этого датчика 43,75 мВ/°C.
• Коэффициент чувствительности этого датчика 40 мВ/°C.

В соответствии с ОСТ 11 336.038-77, система обозначений полупроводниковых биполярных транзисторов основывается на семизначном буквенно-цифровом коде.  Что является первым элементом этого кода? Что он обозначает?

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Первый элемент: буква — для приборов широкого применения, цифра – для приборов специального назначения. Он обозначает исходный полупроводниковый материал. Для обозначения материала используют: Г или 1 – германий и его соединения; К или 2 – кремний и его соединения; А или 3 – арсенид галлия; И или 4 – фосфид индия.
• Первый элемент — буква. Он определяет подкласс приборов. Биполярные транзисторы обозначаются буквой Т.
• Первый элемент — цифра или буква. Он определяет один из основных признаков, характеризующих прибор. Его значение для биполярных транзисторов определяет рассеиваемую мощность транзистора и его граничную частоту.

В таком диоде используется не р-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник. Энергетические уровни, соответствующие зоне проводимости, в полупроводнике заполнены больше, чем в металле. Поэтому после соединения металла и полупроводника часть электронов перейдет из полупроводника в металл. Это приведет к уменьшению концентрации электронов в полупроводнике n-типа. Возникнет область полупроводника, обедненная свободными носителями электричества и обладающая повышенным удельным сопротивлением. В области перехода появятся объемные заряды и образуется потенциальный барьер, препятствующий дальнейшему переходу электронов из полупроводника в металл.  Назовите диод, о котором говорится в описании.

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Детекторный полупроводниковый диод.
• Диод Ганна.
• Диод Шоттки.

В усилительном каскаде с общим истоком сопротивление нагрузки равно 20 кОм. Эффективное входное сопротивление полевого транзистора составляет 20 кОм, а рабочая крутизна – 2 мА/В.  Определите коэффициент усиления каскада?

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• 10.
• 20.
• 40.

В электронном устройстве блок управления получает сигнал от датчика, амплитуда которого равна 10 мВ. Блок управления усиливает этот сигнал в 50 раз.  Необходимо определить, какова будет амплитуда выходного сигнала блока управления в мВ после усиления.

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• 0,2.
• 5.
• 500.

В электронном устройстве блок управления получает сигнал от датчика, амплитуда которого равна 10 мВ. Блок управления усиливает этот сигнал в 50 раз.  Необходимо определить, какой будет амплитуда выходного сигнала блока управления в мВ после усиления.

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Амплитуда выходного сигнала блока будет равна 0,2 мВ.
• Амплитуда выходного сигнала блока будет равна 5 мВ.
• Амплитуда выходного сигнала блока будет равна 500 мВ.

Гибридные силовые приборы, объединяющие высокоскоростные IGBT ключи и оптимизированные драйверы управления затвором со схемами защиты, называются … силовыми модулями

Тип ответа: Текcтовый ответ

Говоря о характеристиках диодов Шоттки, можно утверждать, что … (укажите 2 варианта ответа)

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• при работе этих диодов отсутствуют инжекция неосновных носителей и соответствующие явления накопления и рассасывания
• это медленно действующие приборы
• максимально допустимый прямой ток может составлять десятки и сотни ампер
• у этих диодов не может быть малый обратный ток

Граничная частота среднечастотных биполярных транзисторов — …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• до 3 МГц
• от 3 МГц до 30 МГц
• от 30 МГц до 300 МГц
• более 300 МГц

Для управления силовыми ключами в инверторных системах применяют …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• постоянный ток
• ШИМ сигнал
• непрерывный сигнал

Для усиления сигнала применяется транзисторная схема с общим …

Тип ответа: Текcтовый ответ

За фильтрацию сигналов отвечает такой элемент системы управления силовыми ключами, как …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• интегратор
• конденсатор
• транзистор

Защитное устройство, предназначенное для аварийного отключения напряжения при перегрузке сети или коротком замыкании, называют … выключателем

Тип ответа: Текcтовый ответ

Изменение по определённому закону параметров последовательности импульсных сигналов для передачи информации принято называть … модуляцией

Тип ответа: Текcтовый ответ

Интеллектуальные … интегральные схемы (ИСИС) объединяют управление, обработку сигналов и силовую электронику на одном чипе, обеспечивая компактность, энергоэффективность и повышение производительности устройств

Тип ответа: Текcтовый ответ

Интеллектуальные силовые интегральные схемы чаще всего используются в …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• бытовой электронике
• промышленных системах
• косметической продукции

Использование силовых ключей … КПД электродвигателя

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• увеличивает
• снижает
• не влияет на

Классификация биполярных транзисторов осуществляется по нескольким критериям. Одним из основных признаков является рассеиваемая мощность. В зависимости от этого параметра, выделяют маломощные, средней мощности и мощные биполярные транзисторы.  Укажите величину рассеиваемой мощности маломощных биполярных транзисторов.

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• До 300 мВт.
• До 1 Вт.
• До 2 Вт.

Ключевой режим транзистора характеризуется двумя состояниями, такими как …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• режим отсечки и режим насыщения
• режим синхронизации и режим отсечки
• ждущий режим и режим насыщения
• ждущий режим и режим синхронизации

Когда биполярный транзистор работает в области активного состояния он …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• снижает напряжение
• выключается
• усиливает сигнал

Корректность работы электрооборудования, особенно в промышленных масштабах, напрямую зависит от соблюдения стандартных значений частоты. Поэтому Россия, как и многие другие страны, строго придерживается стандарта для обеспечения стабильного и безопасного функционирования своей электросети и подключенного к ней оборудования.  Какова частота переменного электрического тока, принятая в Российской Федерации?

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• 75 Гц.
• 60 Гц.
• 50 Гц.

Микроконтроллер, функционирующий на частоте 16 МГц, для выполнения одной операции требует двух тактов.  Сколько операций способен осуществить этот микроконтроллер за одну миллисекунду?

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• За одну миллисекунду микроконтроллер способен осуществить 1 операцию.
• За одну миллисекунду микроконтроллер способен осуществить 4 операции.
• За одну миллисекунду микроконтроллер способен осуществить 8 операций.

На пропорциональность между коллекторным и базовым токами указывает …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• пороговое напряжение
• коэффициент усиления по току
• радиоактивность

Наиболее часто защита от перенапряжений осуществляется посредством …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• увеличения сопротивления
• снижения мощности
• установки диодов

Направление электроники, основанное на использовании физических принципов интеграции и динамических неоднородностей, обеспечивающих несхемотехнические принципы работы устройств называется … микроэлектроникой

Тип ответа: Текcтовый ответ

Напряжение затвора, при котором появляется заметный ток стока, называют … напряжением

Тип ответа: Текcтовый ответ

Неверно, что … является характеристикой формирователя импульсов

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• частота
• модуляция
• эффективность

Область электроники, решающая проблемы конструирования, изготовления и применения интегральных схем и функциональных устройств называется … микроэлектроникой

Тип ответа: Текcтовый ответ

Область электроники, решающая проблемы конструирования, изготовления и применения интегральных схем и функциональных устройств называется …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• интегральной микроэлектроникой
• радиотехникой
• фундаментальной электроникой

Определите последовательность основных этапов процесса изготовления силового статического индукционного транзистора (СИТ):

Тип ответа: Сортировка

• 1 подготовка кремниевой пластины
• 2 выращивание эпитаксиального слоя
• 3 Формирование геометрии затвора и истока
• 4 имплантация примесей
• 5 напыление слоя металлизации
• 6 формирование области канала

Определите последовательность этапов разработки силовых полупроводниковых ключей для уменьшения паразитных индуктивностей:

Тип ответа: Сортировка

• 1 выбор конструкции печатной платы с целью оптимизации размещения проводников для уменьшения длины соединений и снижения индуктивности
• 2 применение изолированных и заземлённых слоев способствует уменьшению паразитных емкостей и индуктивных связей, что приводит к снижению паразитных токов и локализации потенциальных проблем, связанных с индуктивностью
• 3 применение индуктивных элементов, таких как фильтры, в электрических схемах помогает сделать переходные процессы более плавными и уменьшить скачки тока
• 4 применение различных элементов управления и защиты, таких как дроссели, которые могут эффективно подавлять высокочастотные колебания и тем самым снижать негативное влияние паразитных индуктивностей.
• 5 регулярное тестирование и анализ для выявления паразитных индуктивностей

Основная цель защиты силовых полупроводниковых ключей – …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• увеличение выходной мощности
• защита от перенапряжений
• улучшение энергоэффективности

Основная цель защиты силовых полупроводниковых ключей — …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• увеличение выходной мощности
• защита от перенапряжений
• улучшение энергоэффективности

Основной причиной использования полевых тиристоров в схемах с управлением мощностью можно назвать …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• низкую стоимость
• большую мощность и надежность
• необходимость в сложной электронике

Первая цифровая интегральная микросхема была создана Джеком Килби и Робертом Нойсом в …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• 1904 г.
• 1948 г.
• 1959 г.

Полевые тиристоры наиболее эффективны в …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• низкоемких системах
• высоковольтных схемах
• центральных процессорах

Полупроводниковое устройство, в основе которого лежат свойства статического индукционного транзистора (СИТ), представляющего собой полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, называют …на статическом индукционном транзисторе

Тип ответа: Текcтовый ответ

Полупроводниковый … — это самый простой полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n-перехода

Тип ответа: Текcтовый ответ

Полупроводниковый диод, в котором используется явление туннельного пробоя при включении в прямом направлении, — это …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• диод Ганна
• диод Шоттки
• туннельный диод

Полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, предназначенный для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей, имеющий три или более выводов, принято называть …

Тип ответа: Текcтовый ответ

Преимущество IGBT по сравнению с традиционными транзисторами, заключается в …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• невозможности управления
• высокой проводимость и низкой потери
• низком напряжении пробоя

При выборе силовых полупроводников для индуктивных нагрузок необходимо учитывать … переключения

Тип ответа: Текcтовый ответ

Прибор, который проводит ток в обоих направлениях, называют симметричным тиристором, или …

Тип ответа: Текcтовый ответ

Приборы, у которых под воздействием входных электрических сигналов на выходах формируются световые сигналы, принято называть … приборами

Тип ответа: Текcтовый ответ

Приборы, у которых тепловые сигналы на входах и электрические на выходах, принято называть … приборами

Тип ответа: Текcтовый ответ

Приемник оптического излучения, который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический заряд за счет процессов в p-n-переходе, принято называть …

Тип ответа: Текcтовый ответ

Работу полевого транзистора определяет …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• напряжение базы
• напряжение затвора
• ток коллектора

Расположите в правильной последовательности шаги определения основных параметров транзистора:

Тип ответа: Сортировка

• 1 изучить схему и определить расположение транзистора, его подключение, а также резисторы и источники напряжения, и их связь с транзистором
• 2 рассчитать напряжения, необходимых для работы транзистора
• 3 определить токи базы (Ib), коллектора (Ic) и эмиттера (Ie)
• 4 вычислить коэффициент усиления
• 5 определить сопротивления

Расположите действия при выборе приборов для систем управления электродвигателями в хронологической последовательности:

Тип ответа: Сортировка

• 1 определение требований к системе, в том числе спецификаций электродвигателя, таких как мощность, напряжение, тип (например, асинхронный или шаговый) и требуемая динамика
• 2 выбор типа ключевых приборов, включая транзисторы, MOSFET, IGBT или реле, исходя из их характеристик и функциональности, соответствующих спецификациям двигателя и требований к управлению
• 3 анализ схемы управления для определения способа установки основных приборов, включая выбор подходящих драйверов для их корректного функционирования
• 4 анализ тепловых свойств и возможностей по рассеиванию тепла у выбранных устройств с целью определения их пригодности для эксплуатации в условиях, обеспечивающих безопасность по температуре
• 5 тестирование и оценка готовой системы, включающие проверку её функциональности и соответствия исходным требованиям

Расположите название тиристоров в порядке, представленном на рисунке (слева направо): https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0002-0012-000000038773/01.jpg 

Тип ответа: Сортировка

• 1 динистор
• 2 диодные симистор
• 3 триодный тиристор с управлением по катоду
• 4 триодный тиристор с управлением по аноду
• 5 триодный симистор
• 6 фототиристор

Расположите определения понятий в порядке: 1) МДП-транзистор; 2) МОП-транзистор с индуцированным каналом; 3) МОП-транзистор с собственным каналом»:

Тип ответа: Сортировка

• 1 транзистор с управляющим р-n-переходом
• 2 полупроводниковый прибор, в котором при нулевом напряжении затвор-исток закрыт
• 3 полупроводниковый прибор со встроенным каналом в котором при нулевом напряжении затвор-исток открыт

Расположите основные этапы работы структурной схемы системы управления (СУ) электронного аппарата в хронологической последовательности:

Тип ответа: Сортировка

• 1 сбор данных
• 2 обработка данных
• 3 управляющее воздействие
• 4 мониторинг и обратная связь
• 5 анализ результатов и адаптация

Расположите последовательность действий при выборе приборов для систем управления электродвигателями.

Тип ответа: Сортировка

• 1 определение требований к системе, в том числе спецификаций электродвигателя, таких как мощность, напряжение, тип (например, асинхронный или шаговый) и требуемая динамика
• 2 выбор типа ключевых приборов, включая транзисторы, MOSFET, IGBT или реле, исходя из их характеристик и функциональности, соответствующих спецификациям двигателя и требований к управлению
• 3 анализ схемы управления для определения способа установки основных приборов, включая выбор подходящих драйверов для их корректного функционирования
• 4 анализ тепловых свойств и возможностей по рассеиванию тепла у выбранных устройств с целью определения их пригодности для эксплуатации в условиях, обеспечивающих безопасность по температуре
• 5 тестирование и оценка готовой системы, включающие проверку её функциональности и соответствия исходным требованиям

Расположите примеры биполярных транзисторов в следующем порядке: 1) классифицированные по роду исходного материала; 2) классифицированные по типу полярности; 3) классифицированные по технологическим особенностям:

Тип ответа: Сортировка

• 1 германиевые, кремниевые, арсенид-галлиевые
• 2 Р-N-Р и N-Р-N
• 3 сплавные, планарные, эпитаксиально-планарные, диффузионно-сплавные, меза-планарные и т. п.

Расположите факторы воздействия на коэффициент запирания тиристора в хронологической последовательности анализа:

Тип ответа: Сортировка

• 1 структура полупроводникового материала
• 2 температура, влияющая на подвижность носителей заряда
• 3 величина обратного напряжения, приложенного к тиристору
• 4 ток удержания

Расположите этапы работы силовых полупроводниковых диодов в хронологической последовательности:

Тип ответа: Сортировка

• 1 прямое смещение
• 2 достижение порога проводимости
• 3 обратное смещение
• 4 регенерация и восстановление
• 5 возврат к нормальному состоянию

Режим в полевых транзисторах, при котором транзистор полностью открыт, и ток через него достигает максимального значения, принято называть режимом …

Тип ответа: Текcтовый ответ

Свойство, которое присуще полевым транзисторам – …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• практически отсутствует ток в цепи затвора
• имеют очень большой коэффициент усиления по току
• способны длительное время работать в режиме лавинного пробоя

Система в которой моменты формирования импульсов управления всегда синхронизированы с напряжением сети, к которой подключается ключ, называется синхронной системой с … управлением

Тип ответа: Текcтовый ответ

Система управления … преобразователями постоянного напряжения строится на основе широтно-импульсного метода регулирования выходного напряжения и частотно-импульсного метода, который меняет длительность управляющих импульсов при неизменной частоте из следования

Тип ответа: Текcтовый ответ

Системы автоматического управления, которые, получая произвольные сигналы, повторяют их с заданной точностью принято называть асинхронной системой … типа

Тип ответа: Текcтовый ответ

Специальная интегральная схема выходных усилителей необходимая для цепей управления мощными полупроводниковыми ключами называется …

Тип ответа: Текcтовый ответ

Специальные цепочки, обеспечивающие безопасность работы силовых модулей и предотвращение повреждений, называются … цепями силовых модулей

Тип ответа: Текcтовый ответ

Транзистор был изобретен в …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• 1904 г.
• 1948 г.
• 1958 г.

У полевого транзистора с управляющим р-n переходом максимальный ток стока равен 1мА, а напряжение отсечки – 4В.  Какой ток будет протекать при обратном напряжении смещения затвор-исток, равном 2В?

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• 0,1 А.
• 0,25 А.
• 0,5 А.

Управляющий … — это вывод от одной из баз в тринисторе

Тип ответа: Текcтовый ответ

Установите последовательность электронных приборов согласно хронологии их появления и технологического прогресса в области энергетики и силовой электроники:

Тип ответа: Сортировка

• 1 электронный диод
• 2 ртутный выпрямитель
• 3 купроксный полупроводниковый выпрямитель
• 4 биполярный транзистор
• 5 тиристор 1957
• 6 IGBT–транзистор

Установите соответствие выводов полярного транзистора и с его определением:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Сток полевого транзистора
• B. Исток полевого транзистора
• C. Затвор полевого транзистора
• D. один из выводов, через который основные носители заряда выходят из канала
• E. один из выводов, через который основные носители заряда поступают в канал
• F. вывод от управляющего электрода

Установите соответствие выводов полярного транзистора с его определением:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Стоком полевого транзистора
• B. Истоком полевого транзистора
• C. Затвором полевого транзистора
• D. один из выводов, через который основные носители заряда выходят из канала
• E. один из выводов, через который основные носители заряда поступают в канал
• F. вывод от управляющего электрода

Установите соответствие между названием модуляции и его определением:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Амплитудно-импульсная модуляция (АИМ)
• B. Частотно-импульсная модуляция (ЧИМ)
• C. Широтно-импульсная модуляция (ШИМ)
• D. модуляция, при которой частота импульсов управления постоянна и соответствует периоду квантования по времени, а выходной сигнал модулируется импульсами управления различными по уровню (амплитуде)
• E. модуляция при которой изменяется частота переключения ключа, что соответствует изменению периода переключения ключа согласно значениям модулирующей функции, а длительность импульса при этом остается постоянной
• F. модуляция при которой ключ переключается также с постоянной частотой, а длительность импульса управления изменяется в соответствии со значением модулирующей функции

Установите соответствие между названием модуляции и его определением:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Амплитудно-импульсная модуляция (АИМ)
• B. Частотно-импульсная модуляция (ЧИМ)
• C. Широтно-импульсная модуляция (ШИМ)
• D. модуляция, при которой частота импульсов управления постоянна и соответствует периоду квантования по времени, а выходной сигнал модулируется импульсами управления различными по уровню (амплитуде)
• E. это модуляция при которой изменяется частота переключения ключа, что соответствует изменению периода переключения ключа согласно значениям модулирующей функции, а длительность импульса при этом остается постоянной
• F. модуляция при которой ключ переключается также с постоянной частотой, а длительность импульса управления изменяется в соответствии со значением модулирующей функции

Установите соответствие между названием полупроводникового ключа и их определением:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Ключ на биполярном транзисторе
• B. Ключ с резистивной нагрузкой
• C. Ключ на биполярном транзисторе с изолированным затвором
• D. транзисторный ключ, который служит для коммутации цепей нагрузки под воздействием внешних управляющих сигналов
• E. устройство, которое включает МДП-транзистор с индуцированным n-каналом, нагрузку-резистор, источник входного сигнала и источник напряжения
• F. трехэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре

Установите соответствие между названием явлений при работе силовых полупроводниковых ключей и его определением:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Токовая перегрузка
• B. Паразитная индуктивность
• C. Индуктивная наводка
• D. ситуация, когда по проводнику протекает электрический ток большей мощности, чем предполагалось, что может привести к чрезмерному выделению тепла и риску возгорания или повреждения оборудования
• E. неуправляемая индуктивность, которая существует в цепи и возникает естественным образом
• F. явление, при котором изменяющийся магнитный поток, создаваемый одним проводником или устройством, индуцирует ток в другом проводнике, находящемся вблизи

Установите соответствие между названиями драйверов и их определением:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Драйверы однофазного моста
• B. Драйверы трехфазного моста
• C. Полумостовые драйверы
• D. специализированная микросхема для управления IGBT транзисторами в однофазной мостовой схеме выпрямления
• E. высоковольтные, высокоскоростные драйверы IGBT-транзисторов с тремя раздельными выходными каналами управления ключами верхнего и нижнего уровней для трёхфазных приложений
• F. электронные компоненты, которые контролируют полярность и величину выходного напряжения путём своевременного переключения четырёх переключателей, таким образом определяя направление и скорость двигателя

Установите соответствие между областями работы транзистора и его характеристиками:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Активная область работы
• B. Область насыщения
• C. Область отсечки
• D. область при работе транзистора как усилителя малых сигналов, когда эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт
• E. область, в которой эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении (открыты)
• F. область, в которой как эмиттерный, так и коллекторный переходы смещены в обратном направлении (закрыты)

Установите соответствие между понятиями электронных приборов и их определением:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Полупроводниковые
• B. Термоэлектрические
• C. Фотоэлектрические
• D. приборы, принцип действия которых основан на использовании свойств полупроводников
• E. приборы, которые преобразуют тепловые сигналы в электрические
• F. приборы, которые преобразуют входящий свет в электрический сигнал

Установите соответствие между типами формирователей импульсов управления с их функциями и принципами работы:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Цифровые формирователи импульсов
• B. Полевые формирователи импульсов
• C. Программируемые формирователи импульсов
• D. устройства, работающие на основе дискретных логических уровней, предназначены для обработки цифровых сигналов в системах связи и управления, обеспечивая надежность и устойчивость к помехам.
• E. устройства, которые формируют импульсы фиксированной ширины или генерирующими последовательности импульсов, которые широко используются в таймерах и генераторах сигналов.
• F. устройства, работающие с управляемые внешними микроконтроллерами, обеспечивают максимальную гибкость и могут настраиваться на выполнение различных функций.

Установите соответствие параметров полевых транзисторов и их характеристик:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Крутизна управляющей характеристики транзистора
• B. Внутреннее сопротивление
• C. Коэффициент усиления
• D. основной параметр полевого транзистора, который показывает управляющее действие затвора (на выходных характеристиках)
• E. показывает отношение изменения выходного напряжения к изменению выходного тока при постоянном напряжении на затворе
• F. показывает, во сколько раз на анодный ток сильнее действует напряжение на сетке, чем напряжение анода

Установите соответствие разновидностей полупроводниковых диодов и их характеристик:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Детекторный полупроводниковый диод
• B. Диод Ганна
• C. Диод Шоттки
• D. полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала
• E. полупроводниковый диод, не имеющий в структуре p-n-переходов; используется для генерации и преобразования колебаний в диапазоне сверхвысоких частот (на частотах от 0,1 до 100 ГГц)
• F. полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении

Установите соответствие режимов биполярного транзистора и их характеристик:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Основной режим биполярного транзистора
• B. Режим насыщения биполярного транзистора
• C. Режим отсечки биполярного транзистора
• D. активный (нормальный) режим, при котором эмиттерный переход находится в открытом состоянии, а коллекторный – в закрытом
• E. режим, при котором оба перехода открыты
• F. режим, при котором оба перехода закрыты

Установите соответствие тиристоров и их характеристик:

Тип ответа: Сопоставление

• A. Диодный тиристор (динистор)
• B. Триодных тиристор
• C. Однооперационный тиристор
• D. Двухоперационный тиристор
• E. в таких тиристорах переход прибора из закрытого состояния в открытое связан с тем, что напряжение между анодом и катодом достигает некоторой граничной величины – параметра прибора
• F. в таких тиристорах управление состоянием прибора производится по цепи третьего, управляющего электрода; по этой цепи при этом могут выполняться либо одна, либо две операции изменения состояния тиристора
• G. в таких тиристорах по цепи управляющего электрода осуществимо только отпирание тиристора (с этой целью на управляющий электрод подается положительный относительно катода импульс напряжения)
• H. такие тиристоры допускают по цепи управляющего электрода как отпирание, так и запирание прибора (для запирания на управляющий электрод подается отрицательный импульс напряжения)

Устройство, в котором энергия, запасённая в индуктивности при замкнутом состоянии ключа, передаётся на выход в паузе, то есть, когда ключевой транзистор заперт, называют … однотактным преобразователем напряжения

Тип ответа: Текcтовый ответ

Устройство, которое обеспечивает полный комплекс защит для безопасной работы силового ключа называется … драйвером

Тип ответа: Текcтовый ответ

Устройство, предназначенное для управления мощностью и интегрированное с функциями обработки сигналов на одном чипе, называют интеллектуальной … интегральной схемой

Тип ответа: Текcтовый ответ

Устройство, управляющее основными динамическими параметрами, такими как скоростью нарастания тока и напряжения, временем задержки включения, максимальными значениями тока затвора и напряжения на коллекторе и т.д.) во всех режимах работы, называется …

Тип ответа: Текcтовый ответ

Функция полупроводникового диода заключается в том, чтобы …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• проводить электрический ток в одном направлении и не пропускать его в обратном
• преобразовать переменный ток в постоянный
• преобразовать постоянный ток в переменный

Ширину импульса определяет … формирователя импульсов

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• частота
• длительность импульса
• напряжение

Электронный диод был изобретен в …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• 1904 г.
• 1948 г.
• 1958 г.

Эмиттерный переход — это электронно-дырочный переход между эмиттером и …

Тип ответа: Текcтовый ответ

Эффект, из-за которого происходит рассеивание энергии в полевых транзисторах, называется …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• термоядерным
• обратным эффектом
• тепловым эффектом

Явление возникновения осцилляций тока (~10^9–10^10 Гц) в однородном полупроводнике при приложении к нему сильного электрического поля — это эффект …

Тип ответа: Текcтовый ответ

https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0001-0002-000000038773/01.jpg 

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Детекторный полупроводниковый диод.
• Диод Ганна.
• Диод Шоттки.

https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0001-0006-000000038773/01.jpg 

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Электрические свойства не изменятся.
• Переход запирается.
• Увеличится толщина p-n перехода.
• Увеличится электропроводность p-n перехода.

https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0001-0008-000000038773/01.jpg 

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Интегральный транзистор.
• Полевой транзистор.
• Биполярный транзистор.

https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0001-0009-000000038773/01.jpg 

Тип ответа: Сортировка

• 1 трапецеидальный
• 2 прямоугольный
• 3 треугольный
• 4 пилообразный
• 5 колоколообразный

https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0001-0010-000000038773/02.jpg 

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• На схеме изображена защитная индуктивность с обратным диодом.
• На схеме изображена защитная индуктивность с обратным диодом и резистором.
• На схеме изображена защитная индуктивность с обратным диодом и стабилитроном.

https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0001-0011-000000038773/01.jpg 

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• На рисунке изображена схема понижающего регулятора постоянного напряжения с индуктивным накопителем энергии.
• На рисунке изображена схема повышающего регулятора постоянного напряжения с индуктивным накопителем энергии.
• На рисунке изображена схема инвертирующего регулятора постоянного напряжения с индуктивным накопителем энергии.

https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0001-0013-000000038773/04.jpg 

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Для пускового импульса положительной полярности.
• Для коммутирования нагрузки в оба разнополярных полупериода напряжения.
• Для подачи управляющего импульса в соответствии с полярностью переменного напряжения.

https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0001-0013-000000038773/05.jpg 

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Силовой статический индукционный транзистор (СИТ).
• Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT).
• Биполярный транзистор со статической индукцией (БСИТ).

https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0001-0013-000000038773/06.jpg 

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• а
• б
• в
• г

https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0001-0013-000000038773/13.jpg 

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Это формирователь импульсов управления биполярного транзистора.
• Это формирователь импульсов управления МОП – транзистора.
• Это формирователь импульсов управления тиристора.

https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0001-0013-000000038773/17.jpg 

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• Схема понижающего регулятора постоянного напряжения с индуктивным накопителем энергии.
• Схема повышающего регулятора постоянного напряжения с индуктивным накопителем энергии.
• Схема инвертирующего регулятора постоянного напряжения с индуктивным накопителем энергии.

https://lms.synergy.ru/user_files/21/tests/00000000-0000-0002-0012-000000038773/02.jpg 

Тип ответа: Сортировка

• 1 питание ФИУ от НЧ трансформаторов
• 2 питание ФИУ от изолированных источников
• 3 питание ФИУ от выходной цепи силового ключа

IGBT (изолированный затворный биполярный транзистор) – это …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• прибор, который работает только в цифровых схемах
• устройство, предназначенное исключительно для низких напряжений
• комбинация биполярного транзистора и MOSFET для управления током

MOSFET силовой ключ полностью открывается в …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• режиме отключения
• режиме насыщения
• линейном режиме

MOSFET силовой ключ полностью открывается в режиме …

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• отключения
• насыщения
• режиме