Реферат по Электротехнике и электронике.
-
Раскрыть вопросы
1. Биполярный транзистор по схеме оэ. (Обязательно схема, ВАХ, назначение всех элементов, эпюры напряжения или токов на входе и на выходе транзистора)
2. Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом (Обязательно схема, ВАХ, назначение всех элементов, эпюры напряжения или токов на входе и на выходе транзистора)
3. Сравнение этих транзисторов.
-
Введение
В современной электронике транзисторы занимают одно из ключевых мест, являясь основой построения усилительных, коммутирующих и логических устройств. С момента своего изобретения в середине XX века они претерпели значительное развитие как с точки зрения конструкции, так и функциональных характеристик. Среди множества разновидностей транзисторов особое место занимают биполярные транзисторы (БТ) и полевые транзисторы с управляющим p–n-переходом (ПТ). Эти два типа компонентов обладают различной физической природой работы, характеристиками управления и области применения, что делает их сравнение актуальным как в теоретическом, так и в практическом аспекте.
Биполярный транзистор — это полупроводниковый прибор, в работе которого участвуют как электроны, так и дырки. Одной из наиболее распространённых схем включения биполярного транзистора является схема с общим эмиттером (ОЭ). Она широко используется благодаря высоким коэффициентам усиления по току и напряжению, а также инверсии фазы, что делает её удобной для построения различных каскадов усилителей. Понимание принципа работы транзистора по схеме ОЭ необходимо для изучения основ аналоговой электроники и построения функциональных электронных схем.
С другой стороны, полевой транзистор с управляющим p–n-переходом (также называемый JFET — Junction Field-Effect Transistor) относится к классу униполярных приборов, управление в которых осуществляется электрическим полем. В отличие от биполярных транзисторов, ПТ управляется напряжением, а не током, что обуславливает его высокое входное сопротивление и низкое энергопотребление. Эти характеристики делают его особенно ценным в устройствах, требующих минимального воздействия на сигнальный источник, например в предусилителях и входных каскадах измерительной аппаратуры.
Содержание
Введение. 3
1. Биполярный транзистор по схеме ОЭ.. 4
2. Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом.. 10
3. Сравнение этих транзисторов. 16
Заключение. 18
Список литературы.. 19
1. Гнучев Н.М. Физические основы электроники. Учебное пособие./ Н.М. Гнучев. СПб., Электронная библиотека СПбПУ, 2021. – 155 с.
2. Кириллов, Андрей Владиславович. Основы электроники : учебное пособие / А. В. Кириллов, А.В. Костылев, Н. Д. Ясенев ; под общ. ред. канд. техн. наук, доц. А.В. Кириллова ; М-во науки и высшего образования РФ.— Екатеринбург : Изд-во Урал. ун-та, 2022.— 103, [1] с.
3. Селиванова, З. М. Схемотехника электронных средств. Учебное пособие по курсовому проектированию / З. М. Селиванова. - Тамбов: Изд-во ФГБОУ ВО «ТГТУ», 2017. – 136 с. – 100 экз