Реферат по дисциплине Физика конденсированного состояния. Тема:«Влияние дефектов Шоттки на величину запрещённой зоны»
Реферат по дисциплине Физика конденсированного состояния.
-
Тема:«Влияние дефектов Шоттки на величину запрещённой зоны»
-
ВведениеВлияние дефектов кристаллической решетки на электронные свойства полупроводниковых материалов является одной из фундаментальных проблем физики твердого тела, имеющей огромное практическое значение. Понимание этих влияний критически важно для разработки и оптимизации полупроводниковых устройств, определяющих функционирование современной электроники и оптоэлектроники. Среди многообразия дефектов, существенно изменяющих характеристики полупроводников, особое место занимают дефекты Шоттки – точечные дефекты, связанные с нарушениями стехиометрии кристаллической решетки. Эти дефекты, представляющие собой вакансии или межузельные атомы, способны существенно изменять ширину запрещенной зоны полупроводника, что напрямую влияет на его электропроводность, оптические свойства и другие важные параметры.
Актуальность исследования влияния дефектов Шоттки на ширину запрещенной зоны обусловлена постоянным ростом требований к характеристикам полупроводниковых приборов. Современная микроэлектроника стремится к миниатюризации и увеличению скорости работы компонентов, что требует более тонкого контроля над электронными свойствами материалов. Дефекты Шоттки, являясь неотъемлемой частью реальных кристаллов, оказывают сложное и многогранное воздействие на эти свойства. Поэтому разработка методов предсказания и управления концентрацией этих дефектов, а также понимание механизмов их влияния на ширину запрещенной зоны, являются ключевыми задачами для создания высокоэффективных полупроводниковых устройств будущего.
Целью данной работы является всесторонний анализ влияния дефектов Шоттки на величину ширины запрещенной зоны полупроводниковых материалов.
Для достижения этой цели необходимо решить ряд взаимосвязанных задач. Во-первых, необходимо дать исчерпывающее описание природы и классификации дефектов Шоттки, рассмотрев различные типы этих дефектов, их образование и влияние на структуру энергетических зон полупроводника. Во-вторых, необходимо проанализировать существующие теоретические модели, описывающие изменение ширины запрещенной зоны под воздействием дефектов Шоттки.
В-третьих, ключевым аспектом работы является анализ экспериментальных данных, характеризующих изменение ширины запрещенной зоны под воздействием дефектов Шоттки.
В-четвертых, необходимо оценить практическое значение полученных результатов. Понимание влияния дефектов Шоттки на электронные свойства полупроводников позволит разработать новые методы управления свойствами материалов путем контролируемого введения дефектов.
Таким образом, данная работа представляет собой комплексное исследование, объединяющее теоретический анализ и анализ экспериментальных данных.
1. Барыбин А. А. Физико-технологические основы макро-, микро-, наноэлектроники / А.А. Барыбин, В.И. Томилин, В.И. Шаповалов. – Москва: Физматлит, 2020. – 774 с.
2. Дамаск А. Точечные дефекты в металлах: пер. с англ. / А. Дамаск, Дж. Динс. – М.: Мир, 2019. – 291 с.
3. Дефекты в твердых телах и их влияние на свойства функциональных материалов. Составитель: Асабина Е.А. Электронное учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2022. – 65 с.
4. Дефекты кристаллического строения металлов: Учебное пособие Св.С. Квон. – Караганда Изд-во КарГТУ, 2023. – 57 с.
5. Келли А., Гровс Т. Кристаллография и дефекты в кристаллах. – М.: Мир, 1974. – 521 с.
6. Киттель, Чарльз. Введение в физику твёрдого тела (8-е изд.). Уайли – С. 585–588.
7. Коваленко, М.А. и А. Я. Купряжкин. «Состояния дефекта Шоттки в диоксиде урана и других кристаллах типа флюорита: исследование молекулярной динамики» // Журнал сплавов и соединений, том 645, №0925-8388, 1 октября 2019 г. – С. 405–413.
8. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами / П.В. Ковтуненко. – М.: Высш. шк., 2023. – 352 с.
9. Николаева Е.П., Кошелева Н.Н. Точечные дефекты в кристаллах: учеб. пособие. – Воронеж: ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет», 2019. – 217 с.
10. Новиков И.И. Дефекты кристаллического строения металлов. - М.: Металлургия, 2023. – 188 с.
11. Новиков И.И., Розин К.М. Кристаллография и дефекты кристаллической решетки. – М.: Металлургия, 2020. – 235 с.
12. Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов. – М.: Высшая школа, 1983. – 119 с.
13. Пхьо Н.З., Бацева Д.А., Гуркина Е.Д., Белов Ю.С. Исследование процессов теплового переноса в слоистых кристаллических структурах // Международный студенческий научный вестник. – 2018. – №5. –С.56-62
14. Термодинамика и материаловедение полупроводников / под ред. В.М. Глазова. – М.: Металлургия, 1992. – 391 с.
15. Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела: в 2-х кн. / В.И. Фистуль. – М.: Металлургия, 1995. Т.1. – 480 с.
16. Чеботин В.Н. Физическая химия твердого тела / В.Н. Чеботин. – М.: Химия, 2022. – 319 с.
17. Шаскольская М.П. Кристаллография. – М.: Высшая школа, 1984. – 376 с.
18. Brotherton S.D, Bradley P. J. // Appl. Phys. – 2019. – 82. – Р. 5720-5728.
19. Evwarye A.O., Sun E. J. // Appl. Phys. – 2019. – 47. – Р. 3776-3780.
20. Lang D.V. // J. Appl. Phys. – 2019. – 45. - Р. 3023- 3032.
21. Lewerentz B. M. S., Svensson B. G. // Physica Status Solidi (a). – 2019. – V. 114. – 2. – Р. K147 - K151.
22. Markevich V.P, Peaker A.R, [et.al] // J. Phys: Condensed Matter. – 2023. – 15. – Р. 2779-2789.
