В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе (рис.25) начальное смещение базы в режиме покоя задаѐтся током резистора RБ. Даны параметры RК , EК , h21Э (табл.25). Рассчитать значение RБ так, чтобы в режиме покоя между колл
В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе (рис.25) начальное смещение базы в режиме покоя задаѐтся током резистора RБ. Даны параметры RК , EК , h21Э (табл.25). Рассчитать значение RБ так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было задано напряжение UКЭ.
В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе (рис.25) начальное смещение базы в режиме покоя задаѐтся током резистора RБ. Даны параметры RК , EК , h21Э (табл.25). Рассчитать значение RБ так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было задано напряжение UКЭ.
В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе (рис.25) начальное смещение базы в режиме покоя задаѐтся током резистора RБ. Даны параметры RК , EК , h21Э (табл.25). Рассчитать значение RБ так, чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было задано напряжение UКЭ.
