В соответствии с данными приведенными в табл.23 определяющими: рабочий режим в состоянии покоя; сопротивление нагрузки усилителя RН; сопротивление в цепи коллектора RK; наименьшую частоту усиления fН; падение напряжения на резисторе RЭ,
В соответствии с данными приведенными в табл.23 определяющими: рабочий режим в состоянии покоя; сопротивление нагрузки усилителя RН; сопротивление в цепи коллектора RK; наименьшую частоту усиления fН; падение напряжения на резисторе RЭ, выбранное в соответствии с требованиями температурной стабилизации усилителя, рассчитать усилитель низкой частоты на транзисторе по схеме с общим эмиттером. Схема усилителя приведена на (рис.23). Напряжение на участке между коллектором и эмиттером UКЭ , в состоянии покоя принять равным 5 В. При расчете учесть, что сопротивление нагрузки усилителя RН равно входному RВХ, т.е. полагать, что данный усилитель имеет в качестве нагрузки такой же каскад усиления, а также то, что соответствующие данные табл.23 определяют средние значения параметров транзисторов.
В соответствии с данными приведенными в табл.23 определяющими: рабочий режим в состоянии покоя; сопротивление нагрузки усилителя RН; сопротивление в цепи коллектора RK; наименьшую частоту усиления fН; падение напряжения на резисторе RЭ, выбранное в соответствии с требованиями температурной стабилизации усилителя, рассчитать усилитель низкой частоты на транзисторе по схеме с общим эмиттером. Схема усилителя приведена на (рис.23). Напряжение на участке между коллектором и эмиттером UКЭ , в состоянии покоя принять равным 5 В. При расчете учесть, что сопротивление нагрузки усилителя RН равно входному RВХ, т.е. полагать, что данный усилитель имеет в качестве нагрузки такой же каскад усиления, а также то, что соответствующие данные табл.23 определяют средние значения параметров транзисторов.
В соответствии с данными приведенными в табл.23 определяющими: рабочий режим в состоянии покоя; сопротивление нагрузки усилителя RН; сопротивление в цепи коллектора RK; наименьшую частоту усиления fН; падение напряжения на резисторе RЭ, выбранное в соответствии с требованиями температурной стабилизации усилителя, рассчитать усилитель низкой частоты на транзисторе по схеме с общим эмиттером. Схема усилителя приведена на (рис.23). Напряжение на участке между коллектором и эмиттером UКЭ , в состоянии покоя принять равным 5 В. При расчете учесть, что сопротивление нагрузки усилителя RН равно входному RВХ, т.е. полагать, что данный усилитель имеет в качестве нагрузки такой же каскад усиления, а также то, что соответствующие данные табл.23 определяют средние значения параметров транзисторов.
