СПбГУТ | Оптоэлектроника и интегральная оптика | Контрольная работа | ВСЕ ВАРИАНТЫ | Новое 2026

СПбГУТ | Оптоэлектроника и интегральная оптика | Контрольная работа | ВСЕ ВАРИАНТЫ | Новое 2026

ПОДХОДИТ ПОД ВСЕ ВАРИАНТЫ

ДЛЯ ЗАКАЗА ДРУГОГО ВАРИАНТА - ПИШИТЕ В ЛИЧНЫЕ СООБЩЕНИЯ

ВЫПОЛНЯЮ И ДРУГИЕ ДИСЦИПЛИНЫ ВАШЕГО СЕМЕСТРА - ПИШИТЕ В ЛИЧНЫЕ СООБЩЕНИЯ

ВЫПОЛНЕНИЕ ИТОГОВЫХ И ПРОМЕЖУТОЧНЫХ ТЕСТОВ - ПИШИТЕ В ЛИЧНЫЕ СООБЩЕНИЯ

Контрольная работа ОЭиИО ч.1

Задача 1

Найти, чему равна собственная концентрация свободных носителей заряда в кремнии Si, германии Ge и арсениде галлия GaAs при комнатной температуре T = 300K и температуре жидкого азота T = 77 K.

Задача 2

Кремний Si и арсенид галлия GaAs легированы донорной примесью до концентрации ND = 1017 см-3. Считая примесь полностью ионизованной, найти концентрацию основных и неосновных носителей заряда при температуре Т = 300 K.

Задача 3

Рассчитать объемное положение уровня Ферми 0 относительно середины запрещенной зоны в собственных полупроводниках – кремнии Si и антимониде индия InSb при температурах T1 = 300 K и T2 = 77 K (с учетом различных значений эффективных масс электронов и дырок).

Задача 4

Полупроводники кремний Si, германий Ge и арсенид галлия GaAs легированы донорной примесью до концентрации ND = 1015 см-3. Найти граничную температуру Тгр, при которой собственная концентрация носителей заряда ni еще ниже концентрации основных носителей заряда n0.

Задача 5

Образец арсенида галлия GaAs подвергается внешнему воздействию, в результате которого генерируется 1020 см-3 c-1 электронно-дырочных пар. Уровень легирования ND = 2 1015 см-3, время жизни 0 = 5.10-8 с, Т = 300 К.

Вычислить:

1. коэффициент рекомбинации;

2. избыточную концентрацию неосновных носителей заряда.