Силовая электроника. Силовая электроника.ти
Силовая электроника. Силовая электроника
правильные ответы на вопросы из теста по данной дисциплине
вопросы по алфавиту
Силовая электроника
Ассиметричный (обычный) тиристор содержит
Тип ответа: Одиночный выбор с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
три слоя с разным типом проводимости
пять слоев с разным типом проводимости
четыре слоя с разным типом проводимости
два слоя с разным типом проводимости
Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
Тип ответа: Множественный выбор с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором
входного биполярного n-p-n-транзистора
выходного биполярного n-p-n-транзистора
выходного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
Тип ответа: Множественный выбор с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
полевого транзистора с горизонтальным каналом
униполярного транзистора
полевого транзистора с вертикальным каналом
биполярного транзистора
Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
Тип ответа: Одиночный выбор с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
УКД – устройство контроля и диагностики
КА – блок коммутационной аппаратуры
ФИУ – формирователь импульсов управления
БОИ – блок обработки информации
Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
Тип ответа: Множественный выбор с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
время обратного восстановления - до 50 мкс
прямой ток - в диапазоне от 10 до 1000 А
обратное напряжение от 50 до 3000 В
время восстановления обратного сопротивления до 1000нс
Быстродействие IGBT транзистора
Тип ответа: Множественный выбор с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
выше быстродействия полевых транзисторов
ниже быстродействия полевых транзисторов
выше быстродействия биполярных транзисторов
ниже быстродействия биполярных транзисторов
В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить
Тип ответа: Одиночный выбор с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
источником тока эмиттера, управляемого током коллектора
источником тока коллектора, управляемого током эмиттера
источником тока коллектора, управляемого током базы
источником тока эмиттера, управляемого током базы
В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
Тип ответа: Множественный выбор с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
малой площади коллекторного p-n-перехода
большой толщины базы
малой толщины базы
большой площади коллекторного p-n-перехода
В активном режиме работы биполярного транзистора
Тип ответа: Одиночный выбор с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
выходной ток обратно пропорционален входному току
выходной ток равен входному току
выходной ток не зависит от входного тока
выходной ток прямо пропорционален входному току
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
Тип ответа: Одиночный выбор с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
2п / 3
п/ 6
п / 2
п / 3
В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
Тип ответа: Множественный выбор с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
коллектор-база - в обратном направлении
эмиттер-база - в прямом направлении
коллектор-база - в прямом направлении
эмиттер-база - в обратном направлении
В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
Тип ответа: Одиночный выбор с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантоввстроенный светоизлучатель
встроенный светоприемник
импульсная схема управления
интегральная схема управления
В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения
Тип ответа: Множественный выбор с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
индуктивном
инверсном
отсечки
импульсном
В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:
Тип ответа: Множественный выбор с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
DМОП - структуры
МОП - структуры
МДП - структуры
VМОП - структуры
В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут
Тип ответа: Одиночный выбор с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
значительно больше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
равны мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
значительно меньше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
равны мощности потерь в рабочей точке инверсного режима транзистора
В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
Тип ответа: Одиночный выбор с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
исток
подложку
затвор
сток
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
Тип ответа: Множественный выбор с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
Тип ответа: Множественный выбор с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
полевые транзисторы с изолированным затвором
биполярные транзисторы с изолированным затвором БТИЗ и IGBT-транзисторы
силовые биполярные транзисторы
СИТ - транзисторы
В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения
Тип ответа: Одиночный выбор с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
в три раза превышает частоту питающей сети
равна частоте питающей сети
в три раза меньше частоты питающей среды
в шесть раз превышает частоту питающей среды
