Эффект подбарьерного рассеяния в прыжковой проводимости

Прыжковой проводимостью обычно называют низкотемпературный механизм проводимости в полупроводниках, при котором перенос заряда происходит путём квантовых туннельных переходов (прыжков) носителей заряда между различными локализованными состояниями. Прыжки сопровождаются поглощением или излучением фононов. Наиболее изучена прыжковая проводимость в слаболегированном кристаллическом полупроводнике, где происходит туннелирование между примесными электронными состояниями, а также в аморфных и стеклообразных полупроводниках, в которых носители заряда туннелируют между локализованных состояниями хвоста плотности состояний в квазизапрещённой зоне.

Введение……………………………………………………………………...2

1.    Влияние под барьерного рассеяния на декремент, локализованный волновой функцией……………………………………………………...…3

2.    Подавление положительного магнетосопротивления под барьерным рассеиванием……………………………………………………………….7

Заключение…………………………………………………………………..9

Библиографический список………………………………………………..10