Электротехника задания 2 и 5

Задание №2
1. Провести расчет φ_k,I_s и r_(б )диодов на основе германия и кремния.
2. Рассчитать и построить ВАХ диодов при 300 К с учетом сопротивления базы.
Данные к расчету
Концентрация атомов акцепторной примеси N_а =〖10〗^18 см^(-3) .
Концентрация атомов донорной примеси N_d = 12*〖10〗^15 см^(-3) .
Протяженность (толщина) р+-слоя W_p= 20мкм.
Протяженность (толщина) n-базы W_n = 200 мкм.
Площадь р-n-перехода S = 0,2 мм^2=0.002см^2.
Время жизни дырок в n-области τ_р = 100 мкс.
Время жизни электронов в р-области τ_n= 〖10〗^(–9) с.
Задание №5
1. Провести расчет основных параметров полевого транзистора: UОТС, R0, IСmax, S (UЗ = 0).
2. Рассчитать выходные ВАХ при UЗ= 0 и UЗ= 0,5UОТС и передаточную ВАХ для области насыщения.
Данные к расчету:
Материал – кремний, тип ПТУП – n-канальный.
Концентрация атомов примеси в подзатворной области N_а =〖10〗^18 〖см〗^(–3) . Концентрация атомов примеси в канале Nd = Nж 〖10〗^18 〖см〗^(–3), где Nж=12 – номер фамилии студента в журнале группы.
Толщина канала d_0 = 1 мкм.
Длина канала L = 20 мкм.
Ширина канала W = 500 мкм.
Подвижность электронов в канале μ_n = 1200 см^2/Вс