мощностями для обработки этой информации. Кристаллические твердые тела широко используют в устройствах электроники. Подавляющее большинство известных кристаллических материалов обладают низкой симметрией и относятся

219

Твердотельная электроника контрольная работа вариант - 96 ТУСУР

Магазин /438050-tverdotelnaya-elektronika-kontrolnaya-rabota-variant-96-tusur

Твердотельная электроника контрольная работа вариант - 96 ТУСУР

290

ТУСУР Твердотельная электроника

Магазин /395034-tusur-tverdotelnaya-elektronika

ТУСУР Твердотельная электроника

416 +1

ТУСУР Твердотельная электроника

Магазин /395031-tusur-tverdotelnaya-elektronika

ТУСУР Твердотельная электроника

407

Твердотельная электроника контрольная работа вариант - 98 ТУСУР

Магазин /398213-tverdotelnaya-elektronika-kontrolnaya-rabota-variant-98-tusur

Твердотельная электроника контрольная работа вариант - 98 ТУСУР

365

Твердотельная электроника контрольная работа вариант - 78 ТУСУР

Магазин /395738-tverdotelnaya-elektronika-kontrolnaya-rabota-variant-78-tusur

Твердотельная электроника контрольная работа вариант - 78 ТУСУР

200

Физика конденсированного состояния ОТЧЕТ по лабораторной работе №1 по дисциплине «Твердотельная электроника»

Магазин /342441-fizika-kondensirovannogo-sostoyaniya-otchet-po-laboratornoy-rabote-1-po-discipline-tverdotelnaya-elektronika

Физика конденсированного состояния ОТЧЕТ по лабораторной работе №1 по дисциплине «Твердотельная электроника»

330

ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: На сколько процентов увеличится коэффициент диффузии невырожденного полупроводника, если при увеличении температуры на 10 % подвижность носителей изменилась на 1 %.

Магазин /340525-fdo-tusur-test-po-tverdotelnaya-elektronika-na-skolko-procentov-uvelichitsya-koefficient-diffuzii-nevyrojdennogo-poluprovodnika-esli-pri-uvelichenii-temperatury-na-10-podvijnost-nositeley-izmenilas-na

ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: На сколько процентов увеличится коэффициент диффузии невырожденного полупроводника, если при увеличении температуры на 10 % подвижность носителей изменилась

317

ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить отношение электронного дрейфового тока к дырочному дрейфовому току при T=300 K для кремния n-типа с удельным сопротивлением 5 Ом*см.

Магазин /340518-fdo-tusur-test-po-tverdotelnaya-elektronika-opredelit-otnoshenie-elektronnogo-dreyfovogo-toka-k-dyrochnomu-dreyfovomu-toku-pri-t300-k-dlya-kremniya-n-tipa-s-udelnym-soprotivleniem-5-omsm

ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить отношение электронного дрейфового тока к дырочному дрейфовому току при T=300 K для кремния n-типа с удельным сопротивлением 5 Ом*см.

214

Лазерные технологии

Магазин /478431-lazernye-tehnologii

деталей различной сложности. С созданием мощных непрерывных и импульсно-периодических газовых и твердотельных лазеров возник ряд вопросов, связанных с более широким использованием этих лазеров в различных

313

ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить удельную проводимость образца кремния при температуре T=300 K, если концентрация акцепторов в полупроводнике 2.3*1013 см-3 и концентрация доноров 2.2*1013 см-3....

Магазин /340674-fdo-tusur-test-po-tverdotelnaya-elektronika-opredelit-udelnuyu-provodimost-obrazca-kremniya-pri-temperature-t300-k-esli-koncentraciya-akceptorov-v-poluprovodnike-231013-sm-3-i-koncentraciya-donorov-22

ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить удельную проводимость образца кремния при температуре T=300 K, если концентрация акцепторов в полупроводнике 2.3*1013 см-3 и концентрация доноров

233

ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Дрейфовый ток с плотностью 0.1 A/см2 течёт через кристалл кремния n-типа с удельным сопротивлением 5 Ом*см. Определить время, за которое электроны пройдут расстояние 5 мкм

Магазин /340514-fdo-tusur-test-po-tverdotelnaya-elektronika-dreyfovyy-tok-s-plotnostyu-01-asm2-techet-cherez-kristall-kremniya-n-tipa-s-udelnym-soprotivleniem-5-omsm-opredelit-vremya-za-kotoroe-elektrony-proydut-rass

ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Дрейфовый ток с плотностью 0.1 A/см2 течёт через кристалл кремния n-типа с удельным сопротивлением 5 Ом*см. Определить время, за которое электроны пройдут расстояние

217

ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Образец собственного кремния при T=300 K имеет удельное сопротивление 2*105 Ом*см. Чему равно при этой температуре удельное сопротивление кремния n-типа с концентрацией доноров 1016 см-3, если

Магазин /340531-fdo-tusur-test-po-tverdotelnaya-elektronika-obrazec-sobstvennogo-kremniya-pri-t300-k-imeet-udelnoe-soprotivlenie-2105-omsm-chemu-ravno-pri-etoy-temperature-udelnoe-soprotivlenie-kremniya-n-tipa-s-konc

ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Образец собственного кремния при T=300 K имеет удельное сопротивление 2*105 Ом*см. Чему равно при этой температуре удельное сопротивление кремния n-типа с концентрацией

207

Технические средства автоматизации и управления, 114 вопросов (ответы на тест Синергия / МТИ / МОИ / МосАП)

Магазин /562631-tehnicheskie-sredstva-avtomatizacii-i-upravleniya-114-voprosov-otvety-na-test-sinergiya-mti-moi-mosap

протекает электрический ток, создавать и накапливать магнитное поле называют... Возникновением в твердотельном проводнике с током, помещенном в магнитное поле, электрического поля в направлении, перпендикулярном

123 +1

Основы автоматики и элементы систем автоматического управления, 114 вопросов (ответы на тест Синергия / МТИ / МОИ / МосАП)

Магазин /559644-osnovy-avtomatiki-i-elementy-sistem-avtomaticheskogo-upravleniya-114-voprosov-otvety-na-test-sinergiya-mti-moi-mosap

103

Основы автоматики и элементы систем автоматического управления (сборник ответов на тест МФПУ Синергия | МОИ | МТИ | МОСАП)

Магазин /586932-osnovy-avtomatiki-i-elementy-sistem-avtomaticheskogo-upravleniya-sbornik-otvetov-na-test-mfpu-sinergiya-moi-mti-mosap

целесообразно применение многозадачной организации цикла ПЛК? 11. Возникновением в твердотельном проводнике с током, помещенном в магнитное поле, электрического поля в направлении, перпендикулярном

29 +1

Расчет полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

Магазин /348176-raschet-polevogo-tranzistora-s-upravlyayushchim-p-n-perehodom

Н. С. Твердотельная электроника: методические указания по изучению дисциплины/Н.С. Легостаев, К. В. Четвергов. -Томск: Эль Контент, 2012. - 52 с. 2. Легостаев Н. С. Твердотельная электроника: учебное

421

Что часто ищут

Темы журнала

Прямой эфир