Материалы по запросу: полупроводники
[Синергия]Физика полупроводников.Тест Синергия/МТИ 2025г (5 семестр, 97 баллов)
[Синергия]Физика полупроводников.Тест Синергия/МТИ 2025г (5 семестр, 97 баллов)
Во сколько раз изменится собственная проводимость полупроводника при повышении температуры от 300 до 310 К? Ширина запрещенной зоны полупроводника Е=0,30 эВ
Во сколько раз изменится собственная проводимость полупроводника при повышении температуры от 300 до 310 К? Ширина запрещенной зоны полупроводника Е=0,30 эВ
[Росдистант] Лабораторная работа № 2 Изучение явления фотопроводимости в полупроводниках
[Росдистант] Лабораторная работа № 2 Изучение явления фотопроводимости в полупроводниках
На рисунке изображены зависимости логарифмов удельной электропроводности собственных полупроводников от обратной температуры. Какой из графиков соответствует полупроводнику с наибольшей шириной запрещенной зоны? Обоснуйте свой ответ.
зависимости логарифмов удельной электропроводности собственных полупроводников от обратной температуры. Какой из графиков соответствует полупроводнику с наибольшей шириной запрещенной зоны? Обоснуйте свой ответ
Ширина запрещённой зоны полупроводника составляет 0.6 эВ. При какой максимальной длине волны этот полупроводник становится непрозрачным для электромагнитного излучения? Ответ дайте в нм с точностью до целого значения.
Ширина запрещённой зоны полупроводника составляет 0.6 эВ. При какой максимальной длине волны этот полупроводник становится непрозрачным для электромагнитного излучения? Ответ дайте в нм с точностью до
💯 Физика полупроводников.ти(2) (ответы на тест Синергия / МОИ / МТИ / МосАП, март 2024)
💯 Физика полупроводников.ти(2) (ответы на тест Синергия / МОИ / МТИ / МосАП, март 2024)
Лабораторная работа №2 «Изучение явления фотопроводимости в полупроводниках» по курсу «Информационно-измерительная техника в электроэнергетике»
Лабораторная работа №2 «Изучение явления фотопроводимости в полупроводниках» по курсу «Информационно-измерительная техника в электроэнергетике»
💯 Физика полупроводников.ти(1) — ответы на тест Синергия / МОИ / МТИ / МосАП
💯 Физика полупроводников.ти(1) — ответы на тест Синергия / МОИ / МТИ / МосАП
Лабораторная работа 2 «Изучение явления фотопроводимости в полупроводниках» по курсу «Информационно-измерительная техника в электроэнергетике»
Лабораторная работа 2 «Изучение явления фотопроводимости в полупроводниках» по курсу «Информационно-измерительная техника в электроэнергетике»
[Синергия]Физика полупроводников.Тест Синергия/МТИ 2024г (4 семестр, 100 баллов)
[Синергия]Физика полупроводников.Тест Синергия/МТИ 2024г (4 семестр, 100 баллов)
Изучение явления фотопроводимости в полупроводниках
Изучение явления фотопроводимости в полупроводниках
Информационно-измерительная техника в электроэнергетике лабораторная работа 1-2 Росдистант
Лабораторная работа 1 «Изучение эффекта Холла в полупроводниках» по курсу «Информационно-измерительная техника в электроэнергетике» Тема 5. Усилители постоянного и переменного тока. Характеристики и параметры
[Росдистант] Основы микроэлектроники (тесты, вопросы, ответы)
элементы и межэлементные соединения которых выполнены в объеме или на поверхности монокристалла полупроводника, называются Выберите один ответ: микросхемами макроэлементами полупроводниковыми гибридными На
Во сколько раз уменьшится удельное сопротивление собственного полупроводника, у которого ширина запрещённой зоны 0.6 эВ, при увеличении температуры от 310 K до 400 K? Ответ дайте с точностью до одной цифры после десятичной точки.
Во сколько раз уменьшится удельное сопротивление собственного полупроводника, у которого ширина запрещённой зоны 0.6 эВ, при увеличении температуры от 310 K до 400 K? Ответ дайте с точностью до одной цифры
ГУАП Определение ширины запрещенной зоны полупроводников
ГУАП Определение ширины запрещенной зоны полупроводников
Лабораторная работа 1 «Изучение эффекта Холла в полупроводниках» по курсу «Информационно- измерительная техника в электроэнергетике»
Лабораторная работа 1 «Изучение эффекта Холла в полупроводниках» по курсу «Информационно- измерительная техника в электроэнергетике»
Определить (в эВ) минимальную энергию, необходимую для образования пары электрон-дырка в некотором собственном полупроводнике, если при повышении температуры от 400 К до 430 К его удельная электрическая проводимость возрастает
минимальную энергию, необходимую для образования пары электрон-дырка в некотором собственном полупроводнике, если при повышении температуры от 400 К до 430 К его удельная электрическая проводимость возрастает
Физика полупроводников (ответы на тест Синергия / МТИ / МОИ / МосАП)
Физика полупроводников (ответы на тест Синергия / МТИ / МОИ / МосАП)
СПбГМТУ Исследование зависимости сопротивления полупроводника от температуры и измерение ширины запрещенной зоны полупроводника
СПбГМТУ Исследование зависимости сопротивления полупроводника от температуры и измерение ширины запрещенной зоны полупроводника
ПГУПС Исследование зависимости сопротивления полупроводника от температуры
ПГУПС Исследование зависимости сопротивления полупроводника от температуры
Что часто ищут
Поможем написать учебную работу