РАСЧЁТ ПАРАМЕТРОВ ДИОДА С РЕЗКИМ P-N-ПЕРЕХОДОМ Вариант 1

Для диода с резким p-n-переходом рассчитать: 1) концентрацию основных и неосновных носителей в базе диода; 2) подвижность основных и неосновных носителей в базе диода; 3) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в базе диода; 4) удельное сопротивление базы; 5) контактную разность потенциалов; 6) концентрацию основных и неосновных носителей в эмиттере диода; 7) подвижность основных и неосновных носителей в эмиттере диода; 8) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в эмиттере диода; 9) удельное сопротивление эмиттера. Построить вольт-амперную характеристику диода. В таблице 1 приведены исходные данные к расчёту.