Предмет надежность и радиационная стойкость интегральных схем

1. Теория рекомбинации Шокли-Рида-Холла (ШРХ): вклад ловушек с различными

энергетическими уровнями в темп генерации и рекомбинации.

1.1. Сформулировать понятие темпов генерации и рекомбинации.

1.2. Сравнить вклад мелких и глубоких ловушек в темп генерации и рекомбинации. Нарисовать энергетическую диаграмму.

1.3. Дать физическое обоснование.

3. Граничные условия Шокли: Связь концентраций основных и неосновных носителей заряда с напряжением, действующем на pn-переходе.

3.1. Нарисовать зонную диаграмму pn-перехода с квазиуровнями Ферми и указать все возможные обозначения из пункта 3.2. (напряжение эмиттер-база, например).

3.2. Написать соотношение, связывающее концентрации носителей заряда с напряжением на pn переходе.

5. Ток поверхностной рекомбинации и его связь с напряжением, действующим на эмиттерном переходе, плотностью поверхностных состояний и зарядом в окисле.

5.1. Получить формулу для максимального значения тока поверхностной рекомбинации (случай n=p) с учетом граничных условий Шокли.

5.2. Рассмотреть случаи, когда ток поверхностной рекомбинации снижается относительно максимального значения (влияние заряда в окисле)