1. Нарисуйте принципиальную схему и опишите работу инвертора И2Л (3-х коллекторную).
2. Опишите (укрупненно) порядок технологических операций создания инвертора с горизонтальной и вертикальной транзисторной структурой на общей n+ подложке с использованием поликремниевых выходных шин, операций самосовмещения и диффузии из легированного поликремния. Опишите примененные в структуре принципы функциональной интеграции. В чем преимущества и недостатки И2Л?
3. Рассчитайте процессы ИИ фосфора для создания базы горизонтальной транзисторной структуры p-n-p ( d эпитаксиального слоя = 0, 4 мкм; ? = 10 Ом?см ). Рассчитайте процессы диффузии и окисления при создании эмиттера из сильнолегированого поликремния, если глубина эмиттера должна быть 0,15 мкм.
4. Оцените толщину изолирующего окисла, создающегося при этом на поликремниевых шинах, и паразитную емкость К-Б (проектная норма 0, 2 мкм).
5. Нарисуйте примерную топологию инвертора при проектной норме 200 нм и оцените степень интеграции логической ИС.
10-15Сайт