Индивидуальное задание
Отменен
Заказ
4453681
Раздел
Естественные дисциплины
Предмет
Физические основы электроники
Тип работы
Антиплагиат
Не указан
Срок сдачи
19 Дек 2021 в 14:13
Цена
Договорная цена
Блокировка
10 дней
Размещен
12 Дек 2021 в 14:13
Просмотров
53
Описание работы
Диод Шоттки на основе структуры Si-Ni (кремний-никель) изготовлен на пластине полупроводника толщиной d= 150 мкм (барьер Шоттки φ₀= 0,6эВ). Удельное сопротивление кремния 0,9 Ом×см; подвижность μₙ= 1400 см²/В×с. Площадь контакта S=10⁻⁶ см². При Температуре T=300К и обратном смещении Uобр.= 18 В через диод течет ток I= 4×10⁻⁸ A.
1. Определить ток насыщения диода.
2. Определить изменение барьера за счет эффекта Шоттки при Uобр.= 18 В.
3. Определить контактную разность потенциалов
Нужна такая же работа?
- Разместите заказ
- Выберите исполнителя
- Получите результат
| Гарантия на работу | 1 год |
| Средний балл | 4.54 |
| Стоимость | Назначаете сами |
| Эксперт | Выбираете сами |
| Уникальность работы | от 70% |
Предыдущий заказ
Следующий заказ
Нужна аналогичная работа?
Оформи быстрый заказ и узнай стоимость
Гарантированные бесплатные доработки в течение 1 года
Быстрое выполнение от 2 часов
Проверка работы на плагиат
