Задачи по теме полупроводники

№1 

1.Кончентарция собственных носителей заряда в кремнии при T=300 K n=p=10^10 см^-3, подвижность электронов u(n)=0,18 м^2/Вс, подвижность дырок u(p)=0,05 м^2/Вс.

а) Определить сопротивление кремниевого стержня длинной 1 см и поперечного сечения 1мм^2 

б) как и во сколько раз изменится это сопротивление при нагревании до 400 K. (delta(W)=0,01 эВ )

2.Во сколько раз изменится плотность тока в этом кремнии, если 

а) Его нагреть на delta(T)=100C ? Начальная температура полупроводника T=300 К, delta(W)=1,1 эВ

б) Какую долю дрейфового тока составляет электронная составляющая 

в) начертить зависимость Ln σ от 1/T

№2

p-n переход изготовлен на основе кремния. Концентрация доноров Nд=10^16 см^-3 (delta(Wд)=0,045 эВ), концентрация акцепторов Na=10^13 см^-3 (delta(Wa)=0,02 эВ). Определить:

а)концепции основных и неосновных носителей заряда p и n - полупроводниках

б)ширину p-n перехода при обратном напряжении U=0,2 В

в) начертить энергетическую диаграмму p-n перехода в условиях равновесия и обратном включении, указав переходы через p-n тех носителей заряда, которые создают обратный ток.