Тема: Разработка GaN оптоэлектронных компонентов с использованием жертвенного слоя AlInN на примере: микродисков, РБО (DBR) и вертикально излучающих лазеров (VCSEL) Объем 150-160 страниц. Оригинальность 90% ап вуз. Срок 4 месяца примерно. Выполнение по частям (главам), последний этап - написание введения и заключения.
| Гарантия на работу | 1 год |
| Средний балл | 4.54 |
| Стоимость | Назначаете сами |
| Эксперт | Выбираете сами |
| Уникальность работы | от 70% |